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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
17.5
写入速度,GB/s
2,622.0
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3283
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
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