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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
17.1
写入速度,GB/s
2,622.0
13.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3082
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
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