RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3082
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link