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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
3,405.2
15.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2666
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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