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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
3,405.2
15.5
写入速度,GB/s
2,622.0
8.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2252
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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