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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
12.4
写入速度,GB/s
2,622.0
8.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2653
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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