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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
77
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
46
读取速度,GB/s
3,405.2
12.5
写入速度,GB/s
2,622.0
10.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2325
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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