RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
77
Intorno -67% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
46
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2325
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link