RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
77
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2325
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link