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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Maxsun MSD48G30M3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30M3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
14.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3105
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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