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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
16.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2632
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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