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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
44
读取速度,GB/s
15.0
15.8
写入速度,GB/s
10.3
10.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2803
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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