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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3536
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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