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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.2
16.6
写入速度,GB/s
8.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2961
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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