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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
76
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
76
读取速度,GB/s
12.7
10.3
写入速度,GB/s
7.5
6.9
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1260
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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