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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
14.4
13.5
写入速度,GB/s
9.5
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2588
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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