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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
35
读取速度,GB/s
4,387.7
14.6
写入速度,GB/s
1,813.5
10.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2636
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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