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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
35
读取速度,GB/s
4,387.7
14.6
写入速度,GB/s
1,813.5
10.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2636
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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