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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
56
左右 -155% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
22
读取速度,GB/s
4,387.7
18.4
写入速度,GB/s
1,813.5
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3178
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
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