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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

总分
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

总分
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Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 12
    测试中的平均数值
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB 需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 56
    左右 -51% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.3 left arrow 1,813.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    4,387.7 left arrow 12.0
  • 写入速度，GB/s
    1,813.5 left arrow 6.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    693 left arrow 1878

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较

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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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