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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
18.2
写入速度,GB/s
9.0
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3663
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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