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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
50
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
50
读取速度,GB/s
10.9
12.5
写入速度,GB/s
8.7
7.3
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2326
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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