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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.9
11.1
写入速度,GB/s
8.7
6.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1890
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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