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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
16.4
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3226
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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