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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
18.5
写入速度,GB/s
8.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3790
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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