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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
18.3
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3529
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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