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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
16.5
写入速度,GB/s
8.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3058
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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