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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
37
读取速度,GB/s
9.8
13.9
写入速度,GB/s
8.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2507
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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