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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
9.8
14.9
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2196
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
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