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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
9.8
13.9
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2186
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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