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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
67
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
67
读取速度,GB/s
9.8
16.2
写入速度,GB/s
8.1
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1798
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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