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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
54
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
54
读取速度,GB/s
10.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2259
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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