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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
18.0
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3070
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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