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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
47
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
19
读取速度,GB/s
10.4
20.5
写入速度,GB/s
7.8
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3665
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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