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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
10.4
18.5
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3295
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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