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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
8.0
14.5
写入速度,GB/s
7.3
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2847
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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