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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
9.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3226
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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