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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
40
读取速度,GB/s
9.2
13.4
写入速度,GB/s
8.1
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3014
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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