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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
9.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
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