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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
40
读取速度,GB/s
9.2
13.6
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3011
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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