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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
差异
规格
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
16.2
写入速度,GB/s
8.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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