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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.2
18.3
写入速度,GB/s
8.1
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3409
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM的比较
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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