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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
13.9
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2597
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB RAM的比较
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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