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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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更快的读取速度,GB/s
10.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
54
读取速度,GB/s
9.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2259
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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