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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
54
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
35
读取速度,GB/s
9.2
14.9
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2613
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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