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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1897
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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