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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
9.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2764
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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