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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
9.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2764
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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