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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
7.3
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3422
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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