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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
19.9
写入速度,GB/s
7.3
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3357
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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