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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
11.8
18.4
写入速度,GB/s
7.3
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3525
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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