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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
21.3
写入速度,GB/s
7.3
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
4151
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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